1月8日，英伟达首席执行官黄仁勋在CES2026展会上回应了关于是否用SRAM取代HBM的问题。SRAM是一种高速小容量的静态缓存，而HBM是基于DRAM的3D堆叠式主存，具有超高带宽和大容量。黄仁勋承认SRAM在某些特定工作负载下速度极快，但在生产级AI系统中，SRAM的容量瓶颈使其优势不再。他指出，SRAM的容量增长速度跟不上现代模型的需求，可容纳的模型规模仅为HBM系统的百分之一。当模型溢出SRAM时，系统效率优势会瞬间消失。

黄仁勋进一步分析了AI工作负载的不可预测性。现代AI模型形态各异，对硬件的需求点不同，有的依赖显存容量，有的依赖互连带宽。如果硬件针对某一特定模式过度优化，一旦工作负载变化，昂贵的芯片就会闲置。因此，英伟达坚持选择HBM路线。黄仁勋认为，在共享数据中心中，灵活性是决定经济效益的关键。HBM方案虽然物料成本更高，但能适应不断变化的算法和模型架构，确保硬件在数周甚至数月的运营周期内保持高利用率。