6月23日，韩国芯片行业传来消息，三星电子的HBM4内存销售额已经突破10亿美元大关，成为业界首家达成此成就的企业。HBM4内存产品于2026年2月12日实现量产，其技术基于1cnm DRAM Die和4nm逻辑Base Die，采用12Hi堆叠技术，单堆栈容量达到36GB。该内存的引脚速率能够达到13Gbps，堆栈总带宽高达3.3TB/s，展现出卓越的性能。

继HBM4之后，三星电子在上个月进一步推出了12Hi 48GB HBM4E内存，其引脚速率得到了提升，达到14~16Gbps，堆栈总带宽也增加至3.6TB/s。这一进步标志着三星在高性能内存领域的领先地位，同时也反映了市场对于高性能内存解决方案的强烈需求。随着技术的不断进步和市场需求的增长，三星电子在HBM内存领域的领先地位有望进一步巩固。